恐怖拳交

  • EMI 问题不断增加,但我们可以尽可能避免它们

    EMI 就像夜深人静的幽灵一样,不正常。但是,尽管与 EMI 相关的问题正在增加,但仍有一些方法可以在您的设计中避免它们。

  • GaN 将射频应用推向新的阶段

    氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体,可满足高功率和射频应用日益增长的需求。GaN 的带隙是传统硅的三倍以上,它允许功率器件在比硅更高的温度和电压下工作,而不会破坏或降低其性能和可靠性。此外,其极低的导通电阻使 GaN 能够提供非常高的电流和射频功率密度,在雷达、功率转换器和功率放大器等高功率射频系统中得到应用。

  • Rohm罗姆最新几款电源芯片

    BD7F205EFJ-C是一种无光耦合器的隔离反弹射转换器。不需要光耦或变压器辅助绕组的反馈电路,从而减少设定件。此外,采用原始适应的接通时间控制技术可以实现快速负载响应。此外,各种保护功能实现了高可靠性隔离电源应用的设计。

  • 如何合理的测试DCDC电源第一部分,测试原因和设备

    在我担任现场应用工程师的这么多年中,我看到了相当多的电源设计。在许多情况下,这些设计可以毫无问题地工作。有时,我发现在将产品投入生产之前通过一些额外的工程工作可以避免的问题。系统设计人员常常在使用电源电路时没有彻底确保其在整个极端工作条件下都能正常工作。存在原型工作正常的情况,因此忽略了进一步的电源测试,或者是检查是否正常运行的最后一项。有时直到产品投入生产后才会出现问题,从而导致现场故障。

  • 如何为测试应用确定最佳电源,第一部分功率和噪声

    大多数电气工程师认为他们对电源有很好的了解,因为它们是相对简单的单功能直流设备,旨在输出受控电压。但是,电源的功能远不止此描述所暗示的。尽管电源的规格对大多数应用都充分描述了其性能,但指定其性能(或任何仪器的性能)的每个可能方面在金钱和时间方面都太昂贵了。

  • 高速互连要求推动更便宜的 PCB 材料

    在阅读和研究文章和互联网上的大量观点时,很容易假设知情人士一致认为,使用传统低成本 PCB 材料进行下一代高速设计的日子已经一去不复返了走了。还有一种观点认为,现代技术(如 PCIe 5.0 及更高版本)的要求已将电路板设计和制造的界限推向了边缘。

  • 如何合理的测试DCDC电源第二部分,输出电压测试

    使用计划生产的组件设计和构建电源后,将其放置在允许访问电源输入和输出的位置。如果可能,请断开系统负载与电源的连接以进行初始测试。在系统负载断开的情况下,您可以测试最小和最大负载,同时保护系统免受任何可能的电源故障情况的影响。

  • IGBT 基础教程:第 1 部分如何选择 IGBT

    IGBT全称叫绝缘栅双极型晶体管,是一种复合型结构器件,它结合了MOS晶体管和BJT双极型晶体管的优点,在电压电流转换,电能输出领域用的非常多,特别是在高压大电流领域,IGBT占主导地位,是人类控制电能,利用电能的核心半导体器件之一,这种主要应用在电子电力转换领域的半导体器件,我们统称功率半导体

  • IGBT 基础教程:第 2 部分IGBT概述

    N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET,的通用 IGBT 横截面所示。(PT IGBT 有一个额外的 n+ 层,将在后面说明。)因此,IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似。从发射极施加到栅极端子的正电压导致电子被拉向体区中的栅极端子。

  • IGBT 基础教程:第 3 部分PT与NPT芯片介绍

    所谓PT(PunchThrough,穿通型),是指电场穿透了N-漂移区,电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985),但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早,所以第1代IGBT产品以PT型为主。PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题,但是需要增加外延层厚度,技术复杂,成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的,电压规格越高、外延层越厚,IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。

  • IGBT 基础教程:第 4 部分数据表中有关 IGBT的特性一

    从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息,用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是,测试结果非常依赖于电路,尤其是寄生发射极电感,以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。

  • IGBT 基础教程:第 5 部分数据表中有关 IGBT的特性二

    从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息,用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是,测试结果非常依赖于电路,尤其是寄生发射极电感,以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。

  • IGBT 基础教程:第 6 部分IGBT静态特性

    IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压 的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也 可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在截止 下的IGBT ,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。 无N+缓冲区,则正反向阻断电压 做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平, 限制了IGBT的某些应用范围。

  • IGBT 基础教程:第 7 部分IGBT动态特性

    一个等效的 IBGT 模型,其中包括端子之间的电容。输入、输出和反向传输电容是这些电容的组合。数据表中规定了测量电容的测试条件。

  • IGBT 基础教程:第 8 部分IGBT热和机械特性

    这是从芯片结到器件外壳外部的热阻。热量是设备本身功率损失的结果,热阻与基于这种功率损失的芯片的热度有关。之所以称为热阻,是因为使用电气模型根据稳态功率损耗预测温升。

恐怖拳交  上一页  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一页 尾页